창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2324DS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2324DS-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 234m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2324DS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2324DS-, SI2324DS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
C2012X7R1C475K125AE | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | C2012X7R1C475K125AE.pdf | ||
BAV23S,235 | DIODE ARRAY GP 200V 225MA SOT23 | BAV23S,235.pdf | ||
3361P-1-504G | 500k Ohm 0.5W, 1/2W Gull Wing Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3361P-1-504G.pdf | ||
MB3793-30PF-G-JN-EF-6 | MB3793-30PF-G-JN-EF-6 FUJ SOP-8 | MB3793-30PF-G-JN-EF-6.pdf | ||
TC1411NEOA713 | TC1411NEOA713 MICROCHIP SMD or Through Hole | TC1411NEOA713.pdf | ||
M155NE | M155NE ORIGINAL DIP | M155NE.pdf | ||
OR2C08A-4S208 | OR2C08A-4S208 ORCA SMD or Through Hole | OR2C08A-4S208.pdf | ||
GRM36X5R683K10D641 | GRM36X5R683K10D641 muRata SMD0402 | GRM36X5R683K10D641.pdf | ||
MC68302FC16A | MC68302FC16A ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68302FC16A.pdf | ||
BCM7406DUFEB01G | BCM7406DUFEB01G BROADCOM SMD or Through Hole | BCM7406DUFEB01G.pdf | ||
9RD60P-1004 | 9RD60P-1004 FREESCALE DIP28 | 9RD60P-1004.pdf | ||
LPC1112F/102 | LPC1112F/102 PHI QFN | LPC1112F/102.pdf |