창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2323CDS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2323CDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 4.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1090pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2323CDS-T1-GE3TR SI2323CDST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2323CDS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2323CDS, SI2323CDS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RN73C2A187RBTDF | RES SMD 187 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A187RBTDF.pdf | ||
MAZZ068H01SO | MAZZ068H01SO panasonic SOT-353 | MAZZ068H01SO.pdf | ||
2SD2224 | 2SD2224 TO- SMD or Through Hole | 2SD2224.pdf | ||
H-8503-V-B-NAA | H-8503-V-B-NAA ORIGINAL SMD or Through Hole | H-8503-V-B-NAA.pdf | ||
790326401 | 790326401 NA SMD or Through Hole | 790326401.pdf | ||
63BSI10OHMLD1% | 63BSI10OHMLD1% ORIGINAL SMD or Through Hole | 63BSI10OHMLD1%.pdf | ||
TPCA8023-H(TE12L | TPCA8023-H(TE12L TOSHIBA SOP | TPCA8023-H(TE12L.pdf | ||
PMH010793074 | PMH010793074 FAIRCHILD SMD or Through Hole | PMH010793074.pdf | ||
ON3131-S(LF) | ON3131-S(LF) MAT DIP | ON3131-S(LF).pdf | ||
GJ232NF11A226ZD01L | GJ232NF11A226ZD01L MURATA SMD | GJ232NF11A226ZD01L.pdf | ||
NMC0402NPO102J25TRPF | NMC0402NPO102J25TRPF NIC SMD or Through Hole | NMC0402NPO102J25TRPF.pdf | ||
HL421F8899 | HL421F8899 OSRAM SMD or Through Hole | HL421F8899.pdf |