창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2318DS-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI2318DS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI2318DS-T1-E3TR SI2318DST1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI2318DS-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI2318DS, SI2318DS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C1812C102KGRACTU | 1000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C102KGRACTU.pdf | |
![]() | VJ0402D0R5DLXAC | 0.50pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R5DLXAC.pdf | |
![]() | Y1750100K000S0L | RES 100K OHM 3/4W 0.001% AXIAL | Y1750100K000S0L.pdf | |
![]() | CS6787AMT | CS6787AMT CYPRESS SMD or Through Hole | CS6787AMT.pdf | |
![]() | PWR1307AC | PWR1307AC MPS SMD or Through Hole | PWR1307AC.pdf | |
![]() | TMP47C452AN | TMP47C452AN N/A NA | TMP47C452AN.pdf | |
![]() | TD6108P | TD6108P ORIGINAL TO-92 | TD6108P.pdf | |
![]() | MC1005P | MC1005P Motorola SMD or Through Hole | MC1005P.pdf | |
![]() | CL160808T2R2K | CL160808T2R2K ORIGINAL SMD or Through Hole | CL160808T2R2K.pdf | |
![]() | F9667DC | F9667DC FSC CDIP | F9667DC.pdf | |
![]() | BZX84C3V3Z14 | BZX84C3V3Z14 RANGE SOT-23 | BZX84C3V3Z14.pdf |