창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2316BDS-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI2316BDS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.66W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI2316BDS-T1-GE3TR SI2316BDST1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI2316BDS-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI2316BDS, SI2316BDS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-1GEJ681C | RES SMD 680 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GEJ681C.pdf | |
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![]() | 1676164-5 | RES SMD 11.8KOHM 0.1% 1/10W 0805 | 1676164-5.pdf | |
![]() | CF5009AN5-1 | CF5009AN5-1 NPC SMD or Through Hole | CF5009AN5-1.pdf | |
![]() | C335105 08 | C335105 08 ORIGINAL SMD | C335105 08.pdf | |
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![]() | LM2904VDR2G. | LM2904VDR2G. ON SOP8 | LM2904VDR2G..pdf | |
![]() | SR-5H-3.15A | SR-5H-3.15A cooperbussmanncom/pdf/addb PBFREE-A-D8ll8HrOHS | SR-5H-3.15A.pdf | |
![]() | XCM676B618FN10 | XCM676B618FN10 MOT PLCC52 | XCM676B618FN10.pdf | |
![]() | RLZTE-117.5 | RLZTE-117.5 ROHM LL-34 | RLZTE-117.5.pdf | |
![]() | 420TXW39M12.5X30 | 420TXW39M12.5X30 RUBYCON SMD or Through Hole | 420TXW39M12.5X30.pdf |