창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2312BDS-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si2312BDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 850mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2312BDS-T1-E3TR SI2312BDST1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2312BDS-T1-E3 | |
관련 링크 | SI2312BDS, SI2312BDS-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CL21C681JBCNFNC | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C681JBCNFNC.pdf | ||
W3L14C105MAT1S | 1µF 4V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | W3L14C105MAT1S.pdf | ||
MKP385191160JDI2B0 | 910pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385191160JDI2B0.pdf | ||
AD707JR/KR | AD707JR/KR AD SOP-8 | AD707JR/KR.pdf | ||
NUP4201MR6TI | NUP4201MR6TI ON SMD or Through Hole | NUP4201MR6TI.pdf | ||
CJP1117-5V | CJP1117-5V ORIGINAL TO-220 | CJP1117-5V.pdf | ||
HIP6602BC | HIP6602BC ORIGINAL SMD or Through Hole | HIP6602BC.pdf | ||
ML12040 | ML12040 LANSDALE PLCC | ML12040.pdf | ||
SN74HC05NSRE4 | SN74HC05NSRE4 TexasInstruments SOP-14 | SN74HC05NSRE4.pdf | ||
LMF9 | LMF9 ORIGINAL SOT89 | LMF9.pdf | ||
ERJ-8GEYJxxxV | ERJ-8GEYJxxxV Panasonic SMD or Through Hole | ERJ-8GEYJxxxV.pdf | ||
SQ3300-12.0M | SQ3300-12.0M PLETRONICS SMD | SQ3300-12.0M.pdf |