창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2307CDS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2307CDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 340pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI2307CDS-T1-GE3TR SI2307CDST1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2307CDS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2307CDS, SI2307CDS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
UVY2A470MPD1TA | 47µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVY2A470MPD1TA.pdf | ||
BZX384B4V7-G3-08 | DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323 | BZX384B4V7-G3-08.pdf | ||
ERD-S1TJ2R0V | RES 2 OHM 1/2W 5% AXIAL | ERD-S1TJ2R0V.pdf | ||
CMF551K4900BEEA | RES 1.49K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K4900BEEA.pdf | ||
R82EC1100DQ501 | R82EC1100DQ501 KEMET NA | R82EC1100DQ501.pdf | ||
FTR-F1CA024V(F1CA024V)-24V | FTR-F1CA024V(F1CA024V)-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | FTR-F1CA024V(F1CA024V)-24V.pdf | ||
SAA7327HTM2B | SAA7327HTM2B PHIL SMD or Through Hole | SAA7327HTM2B.pdf | ||
CRMC08W562J | CRMC08W562J ORIGINAL SMD or Through Hole | CRMC08W562J.pdf | ||
CV143PY | CV143PY IDT SSOP28 | CV143PY.pdf | ||
MAX3202EEBS+ | MAX3202EEBS+ MAXIM UCSP | MAX3202EEBS+.pdf | ||
ELXJ500ETD3R3MEB5D | ELXJ500ETD3R3MEB5D NIPPONCHEMI-COM DIP | ELXJ500ETD3R3MEB5D.pdf | ||
CE0J470M3TANG | CE0J470M3TANG SANYO SMD or Through Hole | CE0J470M3TANG.pdf |