창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI2307BDS-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI2307BDS | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 3.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI2307BDS-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI2307BDS, SI2307BDS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CBR08C829C1GAC | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C829C1GAC.pdf | ||
MKP385316100JC02H0 | 0.016µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385316100JC02H0.pdf | ||
06035J1R0CAWTR | 1pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J1R0CAWTR.pdf | ||
LT3466EFE#PBF | LED 드라이버 IC 2 출력 DC DC 조정기 스텝업(부스트) PWM 조광 400mA 16-TSSOP-EP | LT3466EFE#PBF.pdf | ||
MB87S1542-E1 | MB87S1542-E1 FUJI BGA | MB87S1542-E1.pdf | ||
TPS8824-30DBVR | TPS8824-30DBVR TI SOT23-5 | TPS8824-30DBVR.pdf | ||
TC2117-3.0VDBT | TC2117-3.0VDBT MICROCHI SOT-223 | TC2117-3.0VDBT.pdf | ||
MHWJ7222BN | MHWJ7222BN FRE MHWJ7222BN | MHWJ7222BN.pdf | ||
DR-4515 | DR-4515 MEAN WELL SMD or Through Hole | DR-4515.pdf | ||
SN65ALS543NS | SN65ALS543NS TI SOP20 | SN65ALS543NS.pdf | ||
SY58032U | SY58032U MIC QFN | SY58032U.pdf | ||
MT47H64M8JN-3 IT:F | MT47H64M8JN-3 IT:F MICRON FBGA | MT47H64M8JN-3 IT:F.pdf |