창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2301BDS-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI2301BDS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.8A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 375pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI2301BDS-T1-GE3-ND SI2301BDS-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI2301BDS-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI2301BDS, SI2301BDS-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C2A8R1CA01D | 8.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A8R1CA01D.pdf | |
![]() | 0255.062M | FUSE BOARD MOUNT 62MA 125VAC/VDC | 0255.062M.pdf | |
![]() | DTC023YMT2L | TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | DTC023YMT2L.pdf | |
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![]() | 2012SD 10DB | 2012SD 10DB ORIGINAL XX | 2012SD 10DB.pdf | |
![]() | CMI9739A+ | CMI9739A+ CMEDIA QFP44 | CMI9739A+.pdf | |
![]() | CY7C291AL-35J | CY7C291AL-35J CYPRESS PLCC28 | CY7C291AL-35J.pdf | |
![]() | 93155DC | 93155DC F CDIP16 | 93155DC.pdf | |
![]() | LT1963CS8-18 | LT1963CS8-18 LINEAR SMD | LT1963CS8-18.pdf | |
![]() | TEA1523T/N1,112 | TEA1523T/N1,112 NXP SMD or Through Hole | TEA1523T/N1,112.pdf |