창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI1539CDL-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI1539CDL-T1-GE3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 700mA, 500mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 388m옴 @ 600mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 340mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI1539CDL-T1-GE3-ND SI1539CDL-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI1539CDL-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI1539CDL, SI1539CDL-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | AD648KH | AD648KH AD CAN | AD648KH.pdf | |
![]() | 06035C472J4T2A | 06035C472J4T2A AVX/KYOCERAASIA SMD DIP | 06035C472J4T2A.pdf | |
![]() | FDS9466S E1 | FDS9466S E1 FAI N A | FDS9466S E1.pdf | |
![]() | RLK6026 | RLK6026 ORIGINAL TO-263 | RLK6026.pdf | |
![]() | HSMP-282C-TR1 | HSMP-282C-TR1 AGILENT SMD or Through Hole | HSMP-282C-TR1.pdf | |
![]() | MAX314LEPE | MAX314LEPE MAXIM DIP16 | MAX314LEPE.pdf | |
![]() | 350230015 | 350230015 Molex SMD or Through Hole | 350230015.pdf | |
![]() | 668A3241B | 668A3241B ORIGINAL SMD or Through Hole | 668A3241B.pdf | |
![]() | L717SDE09P0L2VF2C309 | L717SDE09P0L2VF2C309 AMPhenol/ NA | L717SDE09P0L2VF2C309.pdf | |
![]() | LSC500899B | LSC500899B MOT DIP | LSC500899B.pdf | |
![]() | LM4980SDX/NOPB | LM4980SDX/NOPB NS SMD or Through Hole | LM4980SDX/NOPB.pdf |