창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SI1417EDH-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SI1417EDH | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | SIL-0632014 16/Apr/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 450mV @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SI1417EDH-T1-E3CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SI1417EDH-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI1417EDH, SI1417EDH-T1-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RGE1400 | POLYSWITCH RGE SERIES 14.0A HOLD | RGE1400.pdf | |
![]() | PLT0805Z3521LBTS | RES SMD 3.52KOHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z3521LBTS.pdf | |
![]() | TWW10JR68E | RES 0.68 OHM 10W 5% RADIAL | TWW10JR68E.pdf | |
![]() | NJM2381D | NJM2381D JRC DIP-14P | NJM2381D.pdf | |
![]() | MSP3405GB8V3 | MSP3405GB8V3 MICRONAS QFP | MSP3405GB8V3.pdf | |
![]() | 528081670 | 528081670 MOLEX SMD or Through Hole | 528081670.pdf | |
![]() | 100H2D153GB7 | 100H2D153GB7 RUBYCON DIP | 100H2D153GB7.pdf | |
![]() | BOCOM-1 | BOCOM-1 NEC QFP | BOCOM-1.pdf | |
![]() | 21003P | 21003P CONEXANT SOP-8 | 21003P.pdf | |
![]() | RK73H2BTTD3001F | RK73H2BTTD3001F koa SMD or Through Hole | RK73H2BTTD3001F.pdf | |
![]() | MP49E-10-8.192M | MP49E-10-8.192M PLETRONICS SMD | MP49E-10-8.192M.pdf | |
![]() | S89R11DAC-12 | S89R11DAC-12 P&B DIP-SOP | S89R11DAC-12.pdf |