창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SH8M5TB1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SH8M5 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A, 7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.2nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SH8M5TB1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SH8M5TB1 | |
관련 링크 | SH8M, SH8M5TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
12061A4R7BAT2A | 12061A4R7BAT2A AVX SMD | 12061A4R7BAT2A.pdf | ||
10-20N7 | 10-20N7 BZD SOP | 10-20N7.pdf | ||
13-H00N22-04M00 | 13-H00N22-04M00 TOSHIBA DIP-64 | 13-H00N22-04M00.pdf | ||
6660BB | 6660BB PHI SOP | 6660BB.pdf | ||
H1F/23 | H1F/23 AUK SOT-23 | H1F/23.pdf | ||
VP2206N3 | VP2206N3 VISHAY TO-92 | VP2206N3.pdf | ||
ADE3800XL | ADE3800XL ST SMD or Through Hole | ADE3800XL.pdf | ||
BD435(ST) | BD435(ST) ORIGINAL SMD or Through Hole | BD435(ST).pdf | ||
RK73H1JTTDD1054F | RK73H1JTTDD1054F KOA SMD or Through Hole | RK73H1JTTDD1054F.pdf | ||
970-015-040R011 | 970-015-040R011 NORCOMP/WSI SMD or Through Hole | 970-015-040R011.pdf | ||
48706 | 48706 ORIGINAL SMD or Through Hole | 48706.pdf | ||
ZX95-2805C-S+ | ZX95-2805C-S+ Mini-circuits SMD or Through Hole | ZX95-2805C-S+.pdf |