홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » SH8M41GZETB

Rohm Semiconductor SH8M41GZETB

SH8M41GZETB
제조업체 부품 번호
SH8M41GZETB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
SH8M41GZETB 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 551.53613
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SH8M41GZETB 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. SH8M41GZETB 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SH8M41GZETB가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SH8M41GZETB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SH8M41GZETB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SH8M41GZETB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SH8M41
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.4A, 2.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs130m옴 @ 3.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.2nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds600pF @ 10V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
표준 포장 2,500
다른 이름SH8M41GZETBTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SH8M41GZETB
관련 링크SH8M41, SH8M41GZETB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
SH8M41GZETB 의 관련 제품
TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMC SMCJ30CA-E3/9AT.pdf
DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD523 BZX585-C9V1,135.pdf
2SK316-Q PANASONIC SMD or Through Hole 2SK316-Q.pdf
BS-115C-12V PANASONIC SMD or Through Hole BS-115C-12V.pdf
2381_640_33103 BC SMD or Through Hole 2381_640_33103.pdf
FER16CT GIE TO-220A FER16CT.pdf
LT1813IS8#PBF LINEAR SOIC-8 LT1813IS8#PBF.pdf
RM501mA ROHM SOP-8 RM501mA.pdf
SH-PQ025EZ01ZP SHARP SOT-252 SH-PQ025EZ01ZP.pdf
AIC1750-HRPGTRT AIC SOT23-6 AIC1750-HRPGTRT.pdf
EUP7967A-15VIR1. EUP SMD or Through Hole EUP7967A-15VIR1..pdf
GJ90T03 GTM TO-252 GJ90T03.pdf