창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SH8M11TB1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SH8M11 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.9nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 85pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SH8M11TB1 | |
관련 링크 | SH8M1, SH8M11TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
CRGV2512F105K | RES SMD 105K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F105K.pdf | ||
RCP1206B56R0GWB | RES SMD 56 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B56R0GWB.pdf | ||
SFR16S0001502FR500 | RES 15K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001502FR500.pdf | ||
214-120TO-18TRANSISTORMOUNT | 214-120TO-18TRANSISTORMOUNT BIVAR SMD or Through Hole | 214-120TO-18TRANSISTORMOUNT.pdf | ||
ST180C04C2L | ST180C04C2L IR module | ST180C04C2L.pdf | ||
BSW41 | BSW41 ORIGINAL CAN3 | BSW41.pdf | ||
HCF4511BEY by STM | HCF4511BEY by STM STM SMD or Through Hole | HCF4511BEY by STM.pdf | ||
ZR39785HGCF | ZR39785HGCF ZORAN BGA | ZR39785HGCF.pdf | ||
2SJ667 | 2SJ667 SAY TO-3P | 2SJ667.pdf | ||
RK73G2ATTD6812F | RK73G2ATTD6812F KOA SMD | RK73G2ATTD6812F.pdf | ||
SE95 | SE95 PHILIPS SOP-8 | SE95.pdf | ||
RU820-16-02 | RU820-16-02 SCHAFFNER SMD or Through Hole | RU820-16-02.pdf |