창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SG-51P 4.0000MC:ROHS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SG-615,531,51 Part No. Guide SG-615,531, SG-51 Series | |
| 제품 교육 모듈 | SPXO and VCXO | |
| 카탈로그 페이지 | 1700 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | EPSON | |
| 계열 | SG-51 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 주파수 | 4MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS, TTL | |
| 전압 - 공급 | 5V | |
| 주파수 안정도 | ±100ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 23mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 크기/치수 | 0.780" L x 0.250" W(19.80mm x 6.36mm) | |
| 높이 | 0.209"(5.30mm) | |
| 패키지/케이스 | 14-DIP, 4 리드(풀사이즈) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 12mA | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | Q32510011002500 SER1703 SG-51P4.0000MC:ROHS SG-51P4.0000MC:ROHS-ND SG51P4.0000MC:ROHS SG51P40000MCROHS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SG-51P 4.0000MC:ROHS | |
| 관련 링크 | SG-51P 4.000, SG-51P 4.0000MC:ROHS 데이터 시트, EPSON 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37422CAR | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37422CAR.pdf | |
![]() | AT0402DRE0716R5L | RES SMD 16.5 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0716R5L.pdf | |
![]() | CY2308AZXC-20-PBF-T2 | CY2308AZXC-20-PBF-T2 CY SMD or Through Hole | CY2308AZXC-20-PBF-T2.pdf | |
![]() | AMS1117-3.3 TO:223 | AMS1117-3.3 TO:223 ORIGINAL SMD or Through Hole | AMS1117-3.3 TO:223.pdf | |
![]() | TMP82C54AM-2 | TMP82C54AM-2 TOS SOP | TMP82C54AM-2.pdf | |
![]() | 50CE33BS | 50CE33BS SANYO SMD-2 | 50CE33BS.pdf | |
![]() | SPH15-3R4 | SPH15-3R4 TDK SMD or Through Hole | SPH15-3R4.pdf | |
![]() | 100UF/10V 5*11 | 100UF/10V 5*11 Cheng SMD or Through Hole | 100UF/10V 5*11.pdf | |
![]() | NJM4560V | NJM4560V JRC TSSOP8 | NJM4560V.pdf | |
![]() | TB1H475M6L011 | TB1H475M6L011 SAMWH DIP | TB1H475M6L011.pdf | |
![]() | CS3668LT | CS3668LT ORIGINAL DIP | CS3668LT.pdf | |
![]() | SMMJ18CTR-13 | SMMJ18CTR-13 Microsemi DO-214ABSMC | SMMJ18CTR-13.pdf |