창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SFSKB2M30GF00-R1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SFSKB2M30GF00-R1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SFSKB2M30GF00-R1 | |
| 관련 링크 | SFSKB2M30, SFSKB2M30GF00-R1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | UVP1V470MPD1TA | 47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVP1V470MPD1TA.pdf | |
![]() | 12061C472KAT4A | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C472KAT4A.pdf | |
![]() | 2225GC222KAT1A | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225GC222KAT1A.pdf | |
| SI7629DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK | SI7629DN-T1-GE3.pdf | ||
![]() | FHW0805UC1R5KGT | FHW0805UC1R5KGT XYT SMD or Through Hole | FHW0805UC1R5KGT.pdf | |
![]() | H8BCS0QGMBP-56M-C | H8BCS0QGMBP-56M-C SAMSUNG BGA | H8BCS0QGMBP-56M-C.pdf | |
![]() | MIS-28685/984 | MIS-28685/984 S CDIP18 | MIS-28685/984.pdf | |
![]() | E11-PSOPA-W | E11-PSOPA-W NEEDHAMS SMD or Through Hole | E11-PSOPA-W.pdf | |
![]() | SN74HCT32DBR | SN74HCT32DBR TI SSOP-14 | SN74HCT32DBR.pdf | |
![]() | 11P-103J-50 | 11P-103J-50 Fastron SMD or Through Hole | 11P-103J-50.pdf | |
![]() | 98DX163RA2-BCW1I000 | 98DX163RA2-BCW1I000 MARVELL SMD or Through Hole | 98DX163RA2-BCW1I000.pdf | |
![]() | DG188AH/883 | DG188AH/883 SI CAN10 | DG188AH/883.pdf |