창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SDTC114EET1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SDTC114EET1G | |
| 관련 링크 | SDTC114, SDTC114EET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AD1986AJST | AD1986AJST ADI QFP48 | AD1986AJST.pdf | |
![]() | B122(TWIDC) | B122(TWIDC) ST SOP14 | B122(TWIDC).pdf | |
![]() | IDT71256SA15 | IDT71256SA15 IDT SMD or Through Hole | IDT71256SA15.pdf | |
![]() | RP710060 | RP710060 TYCO SMD or Through Hole | RP710060.pdf | |
![]() | NC2D-24V | NC2D-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | NC2D-24V.pdf | |
![]() | TAJD685M035RNJ D AVX | TAJD685M035RNJ D AVX AVX SMD | TAJD685M035RNJ D AVX.pdf | |
![]() | HCF4063BMSETR | HCF4063BMSETR ST SOP | HCF4063BMSETR.pdf | |
![]() | ISL24006IRTZ | ISL24006IRTZ ORIGINAL SOT23-3 | ISL24006IRTZ.pdf | |
![]() | C2676 | C2676 ORIGINAL TO-92 | C2676.pdf | |
![]() | P08709 | P08709 ORIGINAL SMD or Through Hole | P08709.pdf | |
![]() | SA8282-IG | SA8282-IG MT DIP | SA8282-IG.pdf | |
![]() | K9F5608U0D-JIBO | K9F5608U0D-JIBO Samsung TSOP | K9F5608U0D-JIBO.pdf |