창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR8U60P5-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR8U60P5 | |
제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound/Solder Update 09/Jan/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 530mV @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 600µA @ 60V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerDI™ 5 | |
공급 장치 패키지 | PowerDI™ 5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SBR8U60P513 SBR8U60P5DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR8U60P5-13 | |
관련 링크 | SBR8U60, SBR8U60P5-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
AST3TQ-V-30.720MHZ-28-T2 | 30.72MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-V-30.720MHZ-28-T2.pdf | ||
160-470JS | 47nH Unshielded Inductor 1.22A 85 mOhm Max 2-SMD | 160-470JS.pdf | ||
RD10M-T1B 23-10V | RD10M-T1B 23-10V NEC SOT-23 | RD10M-T1B 23-10V.pdf | ||
6.8UF6VA | 6.8UF6VA AVX SMD or Through Hole | 6.8UF6VA.pdf | ||
ICS85356AGIL | ICS85356AGIL ICS TSSOP | ICS85356AGIL.pdf | ||
ECEV1EA221UP | ECEV1EA221UP PAN SMD or Through Hole | ECEV1EA221UP.pdf | ||
KBU12M | KBU12M PANJIT/TSC SMD or Through Hole | KBU12M.pdf | ||
C3D06060G-TR | C3D06060G-TR CRE SMD or Through Hole | C3D06060G-TR.pdf | ||
T350G186M020AS | T350G186M020AS kemet SMD or Through Hole | T350G186M020AS.pdf | ||
LD2732A-3 | LD2732A-3 ORIGINAL DIP | LD2732A-3.pdf | ||
LTC1400LCS8#PBF | LTC1400LCS8#PBF LINEAR SOP8 | LTC1400LCS8#PBF.pdf | ||
7000-46001-4141000 | 7000-46001-4141000 MURR SMD or Through Hole | 7000-46001-4141000.pdf |