창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBR40U200CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBR40U200CT | |
| 제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 주요제품 | Super Barrier Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | SBR® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 20A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 890mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SBR40U200CTDI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBR40U200CT | |
| 관련 링크 | SBR40U, SBR40U200CT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | BZX84C4V3TS-7-F | DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT363 | BZX84C4V3TS-7-F.pdf | |
![]() | P1167.274NLT | 270µH Shielded Wirewound Inductor 390mA 1.04 Ohm Max Nonstandard | P1167.274NLT.pdf | |
![]() | RT0805CRC07750KL | RES SMD 750K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC07750KL.pdf | |
![]() | CTZ3S-20A-W1-PF | CTZ3S-20A-W1-PF ORIGINAL 3x4 | CTZ3S-20A-W1-PF.pdf | |
![]() | AD8337BCPZ-WP | AD8337BCPZ-WP ANALOGDEVICES original | AD8337BCPZ-WP.pdf | |
![]() | DF33M100A | DF33M100A ORIGINAL SMD or Through Hole | DF33M100A.pdf | |
![]() | D1279 | D1279 ORIGINAL SMD or Through Hole | D1279.pdf | |
![]() | D4V-8107 | D4V-8107 ORIGINAL SMD or Through Hole | D4V-8107.pdf | |
![]() | NRSH681M16V10X12.5F | NRSH681M16V10X12.5F NIC DIP | NRSH681M16V10X12.5F.pdf | |
![]() | MAX6823MUKTR | MAX6823MUKTR STM SMD or Through Hole | MAX6823MUKTR.pdf | |
![]() | RS350L 215FLS3ATA11H | RS350L 215FLS3ATA11H ATI BGA | RS350L 215FLS3ATA11H.pdf |