창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SBR20A200CTB-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SBR20A200CTB | |
| 제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 주요제품 | Super Barrier Rectifiers | |
| PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | SBR® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 960mV @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 30ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SBR20A200CTB13 SBR20A200CTBDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SBR20A200CTB-13 | |
| 관련 링크 | SBR20A200, SBR20A200CTB-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW060328R7FKTA | RES SMD 28.7 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060328R7FKTA.pdf | |
![]() | ROX1SF3K9 | RES 3.9K OHM 1W 1% AXIAL | ROX1SF3K9.pdf | |
![]() | CMF5524R900FHEK | RES 24.9 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5524R900FHEK.pdf | |
![]() | MCM62990AFN | MCM62990AFN MOT PLCC | MCM62990AFN.pdf | |
![]() | LP5952TLX-1.8 | LP5952TLX-1.8 NATIONAL BGA5TLA05 | LP5952TLX-1.8.pdf | |
![]() | TR-8X-200 | TR-8X-200 ORIGINAL SMD or Through Hole | TR-8X-200.pdf | |
![]() | TRJY107K016RNJ | TRJY107K016RNJ AVX NA | TRJY107K016RNJ.pdf | |
![]() | CS6020B/ | CS6020B/ CS DIE47 | CS6020B/.pdf | |
![]() | XC2S50ETQ144 | XC2S50ETQ144 XILINX TQFP144 | XC2S50ETQ144.pdf | |
![]() | CXD8276Q | CXD8276Q SONY QFP | CXD8276Q.pdf |