창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR10U200CTB-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR10U200CT(B,FP) | |
제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Multi Device Wafer Source Add 12/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 820mV @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 30ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 200V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SBR10U200CTB-13DI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR10U200CTB-13 | |
관련 링크 | SBR10U200, SBR10U200CTB-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
416F24035IKT | 24MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24035IKT.pdf | ||
RCP0505B33R0GEB | RES SMD 33 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B33R0GEB.pdf | ||
CMF552M0000FHEB | RES 2.00M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552M0000FHEB.pdf | ||
IU016 | IU016 FDK SMD or Through Hole | IU016.pdf | ||
CS61584-IQ5 | CS61584-IQ5 NSC QFP | CS61584-IQ5.pdf | ||
1479190-3 | 1479190-3 Tyco/AMP SMD or Through Hole | 1479190-3.pdf | ||
UPD94661GD-202-5BB. | UPD94661GD-202-5BB. NEC QFP | UPD94661GD-202-5BB..pdf | ||
NC7NZU04L8X-NL | NC7NZU04L8X-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | NC7NZU04L8X-NL.pdf | ||
RSS382RJTB | RSS382RJTB ORIGINAL SMD or Through Hole | RSS382RJTB.pdf | ||
M760049CFKC151 | M760049CFKC151 MOT PLCC52 | M760049CFKC151.pdf | ||
77CJ3HT | 77CJ3HT NO SOP-14 | 77CJ3HT.pdf | ||
AT91SAM7S32-AV-001 | AT91SAM7S32-AV-001 ATMEL SMD | AT91SAM7S32-AV-001.pdf |