창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SBR02U30LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SBR02U30LP | |
제품 교육 모듈 | Super Barrier Rectifier (SBR®) | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1588 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | SBR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 수퍼 장벽 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 480mV @ 200mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SBR02U30LP-7DITR SBR02U30LP7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SBR02U30LP-7 | |
관련 링크 | SBR02U3, SBR02U30LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
AT0603DRE0747KL | RES SMD 47K OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE0747KL.pdf | ||
RC2010FK-0739K2L | RES SMD 39.2K OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-0739K2L.pdf | ||
K4T61163QL-JCE6 | K4T61163QL-JCE6 ORIGINAL BGA | K4T61163QL-JCE6.pdf | ||
NRSX471M25V8X20F | NRSX471M25V8X20F NIC DIP | NRSX471M25V8X20F.pdf | ||
ERG12SJ102V | ERG12SJ102V PAS SMD or Through Hole | ERG12SJ102V.pdf | ||
MD98-18 | MD98-18 PHI DIP | MD98-18.pdf | ||
PM6610-CD90-V4 | PM6610-CD90-V4 QUALCOMM QFN | PM6610-CD90-V4.pdf | ||
PIC16LC54 | PIC16LC54 MICROCHIP SOP | PIC16LC54.pdf | ||
UPD70433FJ-12 | UPD70433FJ-12 NEC SMD or Through Hole | UPD70433FJ-12.pdf | ||
BZX284-B27 27V | BZX284-B27 27V PHI SMD0805 | BZX284-B27 27V.pdf | ||
K4S281622F-UL75 | K4S281622F-UL75 SAMSUNG TSOP | K4S281622F-UL75.pdf |