창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S912XET256J1MALR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | S912XET256J1MALR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | S912XET256J1MALR | |
| 관련 링크 | S912XET25, S912XET256J1MALR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | T95R337K010ESAS | 330µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 2824 (7260 Metric) 130 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R337K010ESAS.pdf | |
![]() | TS120F23IDT | 12MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS120F23IDT.pdf | |
![]() | NLFV25T-1R5M-EF | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 350mA 110 mOhm Max Nonstandard | NLFV25T-1R5M-EF.pdf | |
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![]() | SIS M650 AO | SIS M650 AO SIS BGA | SIS M650 AO.pdf | |
![]() | MD87C51FB/B C 5962-9056401XA | MD87C51FB/B C 5962-9056401XA INTEL DIP | MD87C51FB/B C 5962-9056401XA.pdf | |
![]() | M37204M8-C46SP | M37204M8-C46SP ORIGINAL DIP | M37204M8-C46SP.pdf | |
![]() | CT008 | CT008 COOLSAND BGA | CT008.pdf | |
![]() | 8952AC40P | 8952AC40P SYNCMOS SMD or Through Hole | 8952AC40P.pdf | |
![]() | 12219360 | 12219360 TI PLCC52 | 12219360.pdf | |
![]() | TRW1016J5G8 | TRW1016J5G8 TRW DIP | TRW1016J5G8.pdf | |
![]() | RKC4SD303J | RKC4SD303J KOA SMD or Through Hole | RKC4SD303J.pdf |