창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S86R11A1B1D1120 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | S86R, S87R Series Datasheet | |
카탈로그 페이지 | 2621 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 계전기 | |
제품군 | 전력 계전기, 2A 이상 | |
제조업체 | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | |
계열 | S86R | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
계전기 유형 | 범용 | |
코일 유형 | 비 래칭 | |
코일 전류 | 33mA | |
코일 전압 | 120VAC | |
접점 형태 | DPDT(2 Form C) | |
접점 정격(전류) | 20A | |
스위칭 전압 | 277VAC - 최대 | |
턴온 전압(최대) | 102 VAC | |
턴오프 전압(최소) | - | |
작동 시간 | - | |
해제 시간 | - | |
특징 | 절연 - class B | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
종단 유형 | Quick Connect - 0.250"(6.3mm) | |
접점 소재 | 은 카드뮴 산화물(AgCdO) | |
코일 전력 | 4 VA | |
코일 저항 | 800옴 | |
작동 온도 | -10°C ~ 65°C | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1393134-3 PB510 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | S86R11A1B1D1120 | |
관련 링크 | S86R11A1B, S86R11A1B1D1120 데이터 시트, TE Connectivity AMP Connectors 에이전트 유통 |
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![]() | SE20AFJ-M3/6B | DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC | SE20AFJ-M3/6B.pdf | |
![]() | P160-562JS | 5.6µH Unshielded Inductor 68mA 260 mOhm Max Nonstandard | P160-562JS.pdf | |
![]() | Y16291K52000T0W | RES SMD 1.52K OHM 1/10W 0805 | Y16291K52000T0W.pdf | |
![]() | ICS9LPRS365BGLF | ICS9LPRS365BGLF ICS TSSOP-64 | ICS9LPRS365BGLF.pdf | |
![]() | MB87F2640 | MB87F2640 JAPAN QFP | MB87F2640.pdf | |
![]() | TRF94112BGSAR | TRF94112BGSAR TI-BB VFLGA32 | TRF94112BGSAR.pdf | |
![]() | NJL5196K | NJL5196K JRC SMD or Through Hole | NJL5196K.pdf | |
![]() | C1608X5R1H225KT | C1608X5R1H225KT TDK SMD or Through Hole | C1608X5R1H225KT.pdf | |
![]() | NJM4565V-T/R(4565)NJ | NJM4565V-T/R(4565)NJ JRC TSSOP8 | NJM4565V-T/R(4565)NJ.pdf | |
![]() | S6B33B6X02-BSCY | S6B33B6X02-BSCY SAMSUNG SMD or Through Hole | S6B33B6X02-BSCY.pdf |