창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S82S130F883C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | S82S130F883C | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | CDIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | S82S130F883C | |
| 관련 링크 | S82S130, S82S130F883C 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | R76PD1220SE00J | 2200pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | R76PD1220SE00J.pdf | |
![]() | 416F36035AAT | 36MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035AAT.pdf | |
![]() | IRFH8334TRPBF | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | IRFH8334TRPBF.pdf | |
![]() | ISC1812BN100K | 10µH Shielded Wirewound Inductor 279mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BN100K.pdf | |
![]() | 03K2853 | 03K2853 IBM BGA | 03K2853.pdf | |
![]() | B88169X2003B502 | B88169X2003B502 EPCOS SMD or Through Hole | B88169X2003B502.pdf | |
![]() | SDV1608A140C141 | SDV1608A140C141 SUNLORD SMD or Through Hole | SDV1608A140C141.pdf | |
![]() | D1871 | D1871 ORIGINAL SMD or Through Hole | D1871.pdf | |
![]() | NBB400T1 | NBB400T1 RFMDIC SMD or Through Hole | NBB400T1.pdf | |
![]() | SST55VD020-60-I-MVWE | SST55VD020-60-I-MVWE SST SMD or Through Hole | SST55VD020-60-I-MVWE.pdf | |
![]() | PBSS8110S | PBSS8110S NXP SMD or Through Hole | PBSS8110S.pdf |