창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-S6B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | S6B~S6JR DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 6A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 6A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5 | |
| 다른 이름 | S6BGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | S6B | |
| 관련 링크 | S, S6B 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ATCC-211A-025-475M-T | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1206 (3216 Metric) 6 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | ATCC-211A-025-475M-T.pdf | |
![]() | 402F2701XIAT | 27MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F2701XIAT.pdf | |
![]() | TLP121G | TLP121G TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP121G.pdf | |
![]() | LM1246DDB/NA/LM1246DDA/NA | LM1246DDB/NA/LM1246DDA/NA NS DIP | LM1246DDB/NA/LM1246DDA/NA.pdf | |
![]() | 1022ARQZ | 1022ARQZ AD SSOP16 | 1022ARQZ.pdf | |
![]() | G148 | G148 ASTEC SOT153 | G148.pdf | |
![]() | C1608Y5V1E474ZT | C1608Y5V1E474ZT TDK SMD or Through Hole | C1608Y5V1E474ZT.pdf | |
![]() | TEPT5600DEVKIT | TEPT5600DEVKIT VISHAY SMD or Through Hole | TEPT5600DEVKIT.pdf | |
![]() | RN1501TE85R | RN1501TE85R TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1501TE85R.pdf | |
![]() | KTD1304--RTK | KTD1304--RTK KEC sot23 | KTD1304--RTK.pdf | |
![]() | K9WBG08U1-PCB0 | K9WBG08U1-PCB0 SAMSUNG TSOP48 | K9WBG08U1-PCB0.pdf |