창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S320K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | S320J~S320QR DO-9 (DO-205AB) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 800V | |
전류 -평균 정류(Io) | 320A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 300A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-205AB, DO-9, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-205AB, DO-9 | |
작동 온도 - 접합 | -60°C ~ 180°C | |
표준 포장 | 10 | |
다른 이름 | S320KGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | S320K | |
관련 링크 | S32, S320K 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | V681HB34 | VARISTOR 1067.5V 40KA SQ 34MM | V681HB34.pdf | |
![]() | 416F52013CAR | 52MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52013CAR.pdf | |
![]() | TNPW20104K99BEEY | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20104K99BEEY.pdf | |
![]() | RNMF12FTC66R5 | RES 66.5 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTC66R5.pdf | |
![]() | LT3682 | LT3682 LT DFN-12 | LT3682.pdf | |
![]() | PI49FCT3805SA | PI49FCT3805SA PERICOM SOP | PI49FCT3805SA.pdf | |
![]() | LA71025 | LA71025 SANYO QFP | LA71025.pdf | |
![]() | S29WS256P0PBFW000A | S29WS256P0PBFW000A SPANSION SMD or Through Hole | S29WS256P0PBFW000A.pdf | |
![]() | 57C51B-55T | 57C51B-55T WSI CWDIP24 | 57C51B-55T.pdf | |
![]() | 535511478 | 535511478 MOLEX SMD or Through Hole | 535511478.pdf | |
![]() | BCM5901KFB-P11 | BCM5901KFB-P11 ORIGINAL BGA | BCM5901KFB-P11.pdf | |
![]() | PDTC123YS | PDTC123YS NXPSEMICONDUCTORS ORIGINAL | PDTC123YS.pdf |