창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-S-812C49AMC-C3D-T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | S-812C49AMC-C3D-T2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | S-812C49AMC-C3D-T2 | |
관련 링크 | S-812C49AM, S-812C49AMC-C3D-T2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
7V-18.432MAHE-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-18.432MAHE-T.pdf | ||
MA-506 4.0000M-C3: PURE SN | 4MHz ±50ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 4.0000M-C3: PURE SN.pdf | ||
MBR4045WT | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD | MBR4045WT.pdf | ||
GDZ6V2B-HE3-08 | DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323 | GDZ6V2B-HE3-08.pdf | ||
NRS4018T100MDGJV | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 180 mOhm Max Nonstandard | NRS4018T100MDGJV.pdf | ||
RFR6200-CD90-V4381-1F | RFR6200-CD90-V4381-1F QUALCOMM QFN | RFR6200-CD90-V4381-1F.pdf | ||
ADSP-2100KP | ADSP-2100KP AD QFP | ADSP-2100KP.pdf | ||
MX7226KCWE | MX7226KCWE ORIGINAL SMD or Through Hole | MX7226KCWE.pdf | ||
RLZ TE-11 2.2B | RLZ TE-11 2.2B ROHM LL34 | RLZ TE-11 2.2B.pdf | ||
Z0840006VSC/Z80 CPU | Z0840006VSC/Z80 CPU ZILOG PLCC | Z0840006VSC/Z80 CPU.pdf | ||
SMM-105-02-S-S | SMM-105-02-S-S SAMTEC SMD or Through Hole | SMM-105-02-S-S.pdf | ||
HSM18PT | HSM18PT chenmko SMA | HSM18PT.pdf |