창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW3R0DBR010J | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.01 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 3W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 6327 J-리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 함요형 | |
크기/치수 | 0.625" L x 0.273" W(15.88mm x 6.93mm) | |
높이 | 0.231"(5.87mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | RW3R0DBR010 RW3R0DBR010JBK RW3R0J.010BK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW3R0DBR010J | |
관련 링크 | RW3R0DB, RW3R0DBR010J 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
ERA-8ARW1052V | RES SMD 10.5KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW1052V.pdf | ||
LF353NJFET-I/PD-OP-AMP | LF353NJFET-I/PD-OP-AMP NS SMD or Through Hole | LF353NJFET-I/PD-OP-AMP.pdf | ||
8367RO | 8367RO ORIGINAL DIP | 8367RO.pdf | ||
LT3970EMS#PBF/I/H | LT3970EMS#PBF/I/H LT MSOP | LT3970EMS#PBF/I/H.pdf | ||
Z86C9325 | Z86C9325 ZILOG PLCC44 | Z86C9325.pdf | ||
JK1APF-18V | JK1APF-18V NAIS SMD or Through Hole | JK1APF-18V.pdf | ||
IMP38HC42EMA | IMP38HC42EMA IMP MSOP8 | IMP38HC42EMA.pdf | ||
M378T5663EH3-CF7 (DDR2/2G/Lon-dimm) | M378T5663EH3-CF7 (DDR2/2G/Lon-dimm) Samsung SMD or Through Hole | M378T5663EH3-CF7 (DDR2/2G/Lon-dimm).pdf | ||
976AS-220M/P5 | 976AS-220M/P5 TOKO 2M-220 | 976AS-220M/P5.pdf | ||
STE53N50 | STE53N50 ST SMD or Through Hole | STE53N50.pdf | ||
LTW33-455F | LTW33-455F CQ SMD or Through Hole | LTW33-455F.pdf |