창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW2S0DAR100FET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.1 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 2W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 4524 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
| 크기/치수 | 0.455" L x 0.240" W(11.56mm x 6.10mm) | |
| 높이 | 0.231"(5.87mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | OHRW2S0DAR100FET OHRW2S0DAR100FET-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW2S0DAR100FET | |
| 관련 링크 | RW2S0DAR, RW2S0DAR100FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | PE-1206CD621GTT | 620nH Unshielded Wirewound Inductor Nonstandard | PE-1206CD621GTT.pdf | |
![]() | H829R4BDA | RES 29.4 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H829R4BDA.pdf | |
![]() | C051 | C051 N/A DIP | C051.pdf | |
![]() | ISL232ACB | ISL232ACB INTELSIL SOP-16 | ISL232ACB.pdf | |
![]() | TC6974 | TC6974 PHI SOP24 | TC6974.pdf | |
![]() | C180A | C180A POWEREX SMD or Through Hole | C180A.pdf | |
![]() | GT20G102 | GT20G102 TOSHIBA SMD or Through Hole | GT20G102.pdf | |
![]() | TBJE157K010CRLB9H00 | TBJE157K010CRLB9H00 AVX SMD | TBJE157K010CRLB9H00.pdf | |
![]() | RD-19230FG-600 | RD-19230FG-600 DDC QFP | RD-19230FG-600.pdf | |
![]() | 74LS461NS | 74LS461NS MMI DIP | 74LS461NS.pdf | |
![]() | SSL5D18F-470Y | SSL5D18F-470Y TAI-TECH SMD | SSL5D18F-470Y.pdf | |
![]() | GRM42-6W5R102K200 | GRM42-6W5R102K200 MURATA SMD or Through Hole | GRM42-6W5R102K200.pdf |