창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW1S0BAR470JE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RW "E" Series Material Declaration | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.47 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 1W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | ±90ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 2512 J-리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
크기/치수 | 0.246" L x 0.136" W(6.25mm x 3.45mm) | |
높이 | 0.141"(3.58mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW1S0BAR470JE | |
관련 링크 | RW1S0BA, RW1S0BAR470JE 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
ELXM351VSN181MQ30S | 180µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | ELXM351VSN181MQ30S.pdf | ||
NTD3055L104T4G | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | NTD3055L104T4G.pdf | ||
PF0552.684NLT | Shielded 2 Coil Inductor Array 2.7mH Inductance - Connected in Series 680µH Inductance - Connected in Parallel 1 Ohm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 810mA Nonstandard | PF0552.684NLT.pdf | ||
BR230-290B2-28V-021M | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 28VDC Coil Chassis Mount | BR230-290B2-28V-021M.pdf | ||
GEFORCE 256TM | GEFORCE 256TM NVIDIA BGA | GEFORCE 256TM.pdf | ||
TLV154ID | TLV154ID TI NULL | TLV154ID.pdf | ||
FCH25P09Q | FCH25P09Q NIEC SMD or Through Hole | FCH25P09Q.pdf | ||
T89C51AC2-SLSIM | T89C51AC2-SLSIM ATMEL SOIC DIP | T89C51AC2-SLSIM.pdf | ||
RC1206JR-072M4L 1206 2.4M | RC1206JR-072M4L 1206 2.4M ORIGINAL SMD or Through Hole | RC1206JR-072M4L 1206 2.4M.pdf | ||
D6417760BL200ADV | D6417760BL200ADV Renesas BGA256 | D6417760BL200ADV.pdf | ||
K4T2G084QM-ZCD5 | K4T2G084QM-ZCD5 SAMSUNG BGA | K4T2G084QM-ZCD5.pdf |