창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW1S0BAR050FET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.05 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 1W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2512 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 받침용 | |
| 크기/치수 | 0.246" L x 0.136" W(6.25mm x 3.45mm) | |
| 높이 | 0.141"(3.58mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | RW1S0BAR050FETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW1S0BAR050FET | |
| 관련 링크 | RW1S0BAR, RW1S0BAR050FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | 2056-60-B2LF | GDT 600V 20% 5KA THROUGH HOLE | 2056-60-B2LF.pdf | |
![]() | RP73D2B5K23BTG | RES SMD 5.23K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B5K23BTG.pdf | |
![]() | MB62505U | MB62505U FUJISTU SOP | MB62505U.pdf | |
![]() | LA76600M-TLM | LA76600M-TLM SANYO SOP18M | LA76600M-TLM.pdf | |
![]() | SCD1005T-680K-N | SCD1005T-680K-N NULL SMD or Through Hole | SCD1005T-680K-N.pdf | |
![]() | HY62CT08081e-dt70c | HY62CT08081e-dt70c HY sop | HY62CT08081e-dt70c.pdf | |
![]() | IS28F020-55T | IS28F020-55T ORIGINAL TSSOP | IS28F020-55T.pdf | |
![]() | TMP35GSSO8 | TMP35GSSO8 ad SMD or Through Hole | TMP35GSSO8.pdf | |
![]() | CSI1021JI-42 | CSI1021JI-42 CATALYST SOIC8 | CSI1021JI-42.pdf | |
![]() | ZN5475JBS | ZN5475JBS TI SMD or Through Hole | ZN5475JBS.pdf | |
![]() | XECW820JGT-AF | XECW820JGT-AF ORIGINAL SMD0603 | XECW820JGT-AF.pdf | |
![]() | UPD30121F1 (VR4121) | UPD30121F1 (VR4121) NEC FBGA-224 | UPD30121F1 (VR4121).pdf |