창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW1C020UNT2R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RW1C020UN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 400mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | 6-WEMT | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | RW1C020UNT2R-ND RW1C020UNT2RTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW1C020UNT2R | |
관련 링크 | RW1C020, RW1C020UNT2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-S1DJ302U | RES SMD 3K OHM 5% 3/4W 2010 | ERJ-S1DJ302U.pdf | |
![]() | 1-1921125-0 | 1-1921125-0 AMP SMD or Through Hole | 1-1921125-0.pdf | |
![]() | CDE91N-100-B50K | CDE91N-100-B50K ORIGINAL SMD or Through Hole | CDE91N-100-B50K.pdf | |
![]() | ELJSA390KF | ELJSA390KF panasonic SMD | ELJSA390KF.pdf | |
![]() | VIAC3-800AMHZ(133x | VIAC3-800AMHZ(133x VIA BGA | VIAC3-800AMHZ(133x.pdf | |
![]() | RLZTE-112.0B | RLZTE-112.0B ROHM LL34-2V | RLZTE-112.0B.pdf | |
![]() | CRT9007D-01 | CRT9007D-01 SMC CDIP | CRT9007D-01.pdf | |
![]() | STB80N20 | STB80N20 ST SOT-263 | STB80N20.pdf | |
![]() | tpd733 | tpd733 exe SMD or Through Hole | tpd733.pdf | |
![]() | QG82945GZ SL927 | QG82945GZ SL927 INTEL BGA | QG82945GZ SL927.pdf | |
![]() | 3350HWZOOT | 3350HWZOOT INTEL BGA | 3350HWZOOT.pdf |