창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BBR100FET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.1 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.6W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
| 높이 | 0.140"(3.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RW0S6BBR100FETTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW0S6BBR100FET | |
| 관련 링크 | RW0S6BBR, RW0S6BBR100FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | BFC246816475 | 4.7µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.587" W (26.00mm x 14.90mm) | BFC246816475.pdf | |
![]() | BZT52C27-G3-08 | DIODE ZENER 27V 410MW SOD123 | BZT52C27-G3-08.pdf | |
![]() | S2008VS2 | SCR SENSITIVE 200V 8A TO-251AA | S2008VS2.pdf | |
![]() | 1.5K(0603) 5% | 1.5K(0603) 5% FH/ SMD or Through Hole | 1.5K(0603) 5%.pdf | |
![]() | 7813S-1-023E | 7813S-1-023E bourns DIP | 7813S-1-023E.pdf | |
![]() | LX501PA | LX501PA POLYFET DIP16 | LX501PA.pdf | |
![]() | FQPF20N50C | FQPF20N50C FSC/ TO-220F | FQPF20N50C.pdf | |
![]() | FAR-F5CH-947M50-L2 | FAR-F5CH-947M50-L2 FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F5CH-947M50-L2.pdf | |
![]() | ICS84407 | ICS84407 ICS MSOP-8 | ICS84407.pdf | |
![]() | S9S08SG32E1WTL | S9S08SG32E1WTL FRE Call | S9S08SG32E1WTL.pdf | |
![]() | PS1201E | PS1201E IXYS SMD or Through Hole | PS1201E.pdf | |
![]() | HH-4.8BC-150 | HH-4.8BC-150 HUIHE SMD or Through Hole | HH-4.8BC-150.pdf |