창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BBR030FE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMT Power Resistors | |
| 제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Ohmite | |
| 계열 | RW | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.03 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.6W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 2010 | |
| 크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
| 높이 | 0.140"(3.55mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | OHRW0S6BBR030FE OHRW0S6BBR030FE-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RW0S6BBR030FE | |
| 관련 링크 | RW0S6BB, RW0S6BBR030FE 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 | |
![]() | C317C222K1R5TA | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.120" W(3.81mm x 3.05mm) | C317C222K1R5TA.pdf | |
![]() | GRM0335C2A6R2CA01J | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A6R2CA01J.pdf | |
| AOT282L | MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220 | AOT282L.pdf | ||
![]() | 160-822HS | 8.2µH Unshielded Inductor 230mA 2.4 Ohm Max 2-SMD | 160-822HS.pdf | |
![]() | HVCB2512FDD50K0 | RES SMD 50K OHM 1% 2W 2512 | HVCB2512FDD50K0.pdf | |
![]() | AD538BDZ | AD538BDZ AD DIP | AD538BDZ.pdf | |
![]() | M29W010890NM | M29W010890NM ORIGINAL SMD or Through Hole | M29W010890NM.pdf | |
![]() | HP06026R8M2B | HP06026R8M2B ABC SMD or Through Hole | HP06026R8M2B.pdf | |
![]() | S6D0117A11-B0FX | S6D0117A11-B0FX SAMSUNG SMD or Through Hole | S6D0117A11-B0FX.pdf | |
![]() | IRS2573DSTRPBF-IR | IRS2573DSTRPBF-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRS2573DSTRPBF-IR.pdf | |
![]() | 1-1757824-1 | 1-1757824-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-1757824-1.pdf | |
![]() | T36F1200 | T36F1200 AEG SMD or Through Hole | T36F1200.pdf |