창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW0S6BBR020FET | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2257 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.02 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.6W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | ±90ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 2010 | |
크기/치수 | 0.202" L x 0.100" W(5.14mm x 2.54mm) | |
높이 | 0.140"(3.55mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RW0S6BBR020FETTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RW0S6BBR020FET | |
관련 링크 | RW0S6BBR, RW0S6BBR020FET 데이터 시트, Ohmite 에이전트 유통 |
CGRA156-G | CGRA156-G COMCHIPTECHNOLOGY DO-214AC | CGRA156-G.pdf | ||
LM2575T-5.0(07) | LM2575T-5.0(07) NS SMD or Through Hole | LM2575T-5.0(07).pdf | ||
GTT3455 | GTT3455 GTM TSOP-6 | GTT3455.pdf | ||
D8082A | D8082A INTEL DIP | D8082A.pdf | ||
PWM20 | PWM20 TEMIC PLCC68 | PWM20.pdf | ||
CV139PAG | CV139PAG IDT SMD or Through Hole | CV139PAG.pdf | ||
VP4G4 | VP4G4 ORIGINAL SMD or Through Hole | VP4G4.pdf | ||
KM48S2020AT-10 | KM48S2020AT-10 SAMSUNG TSOP | KM48S2020AT-10.pdf | ||
TD01-1006L1 | TD01-1006L1 HALO DIP16 | TD01-1006L1.pdf | ||
T520B476M00 | T520B476M00 KEMET SMD or Through Hole | T520B476M00.pdf | ||
SFELA10M7JAB0-B0 | SFELA10M7JAB0-B0 MURATA SMD or Through Hole | SFELA10M7JAB0-B0.pdf |