창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RU1E002SPTCL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RU1E002SP | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 250mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 250mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 30pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-85 | |
공급 장치 패키지 | UMT3F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RU1E002SPTCLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RU1E002SPTCL | |
관련 링크 | RU1E002, RU1E002SPTCL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GRM2165C1H152FA01J | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C1H152FA01J.pdf | |
![]() | VJ1812A240JBBAT4X | 24pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A240JBBAT4X.pdf | |
![]() | RO3073E | 315MHz SAW Resonator ±0.032ppm -40°C ~ 105°C Surface Mount | RO3073E.pdf | |
![]() | RT0805BRD0759RL | RES SMD 59 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD0759RL.pdf | |
![]() | KA78M09RTM | KA78M09RTM FAIRCHILD TO-252 | KA78M09RTM.pdf | |
![]() | NCP301LSN16T1 | NCP301LSN16T1 ON SMD or Through Hole | NCP301LSN16T1.pdf | |
![]() | 52515-21007LF | 52515-21007LF BERG/FCI SMD or Through Hole | 52515-21007LF.pdf | |
![]() | LT4485 | LT4485 LT SMD | LT4485.pdf | |
![]() | BYX25-1000R | BYX25-1000R PHILIPS SMD or Through Hole | BYX25-1000R.pdf | |
![]() | SU43601V | SU43601V ORIGINAL DIP | SU43601V.pdf | |
![]() | FA12-8 | FA12-8 ORIGINAL ZIP-10 | FA12-8.pdf |