창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTS31640E-EV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RTS31640E-EV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RTS31640E-EV | |
| 관련 링크 | RTS3164, RTS31640E-EV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D7R5CLCAP | 7.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D7R5CLCAP.pdf | |
![]() | 416F30035CDT | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30035CDT.pdf | |
![]() | RC12JT4M70 | RES 4.7M OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT4M70.pdf | |
![]() | KDS226-RTK-C3 | KDS226-RTK-C3 KEC SOT-23 | KDS226-RTK-C3.pdf | |
![]() | R7134-02P | R7134-02P ROCKWELL BGA | R7134-02P.pdf | |
![]() | THCT2000N | THCT2000N TI DIP28 | THCT2000N.pdf | |
![]() | LC5512B-75Q208C | LC5512B-75Q208C LAT SMD or Through Hole | LC5512B-75Q208C.pdf | |
![]() | M34570M4-050FP | M34570M4-050FP MITSUBISHI SOP | M34570M4-050FP.pdf | |
![]() | K9GAG08U0D-W0000 | K9GAG08U0D-W0000 Samsung SMD or Through Hole | K9GAG08U0D-W0000.pdf | |
![]() | TC7SZ02FU(T5L | TC7SZ02FU(T5L TOSHIBA NA | TC7SZ02FU(T5L.pdf | |
![]() | smaj15a-e3-61 | smaj15a-e3-61 vishay SMD or Through Hole | smaj15a-e3-61.pdf | |
![]() | IS 28F020-55PL | IS 28F020-55PL ORIGINAL PLCC | IS 28F020-55PL.pdf |