창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTR025P02TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RTR025P02 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-96 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RTR025P02TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RTR025P02TL | |
| 관련 링크 | RTR025, RTR025P02TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC0201DR-07430KL | RES SMD 430K OHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-07430KL.pdf | |
![]() | RT0805WRE0780R6L | RES SMD 80.6 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0780R6L.pdf | |
![]() | RT1206WRD0730RL | RES SMD 30 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD0730RL.pdf | |
![]() | AT28C010E-12TU | AT28C010E-12TU ORIGINAL SMD or Through Hole | AT28C010E-12TU.pdf | |
![]() | MB87647 | MB87647 FUJ QFP | MB87647.pdf | |
![]() | 822265-2 | 822265-2 AMP SMD or Through Hole | 822265-2.pdf | |
![]() | 22041091 | 22041091 MOLEX SMD or Through Hole | 22041091.pdf | |
![]() | 25VF512A-33CSAE | 25VF512A-33CSAE SILICONSTORAGETE SMD or Through Hole | 25VF512A-33CSAE.pdf | |
![]() | X9000ES | X9000ES ORIGINAL SMD or Through Hole | X9000ES.pdf | |
![]() | C3216X5R1E685M | C3216X5R1E685M TDK SMD or Through Hole | C3216X5R1E685M.pdf | |
![]() | 11007002E | 11007002E ORIGINAL DIP-18 | 11007002E.pdf | |
![]() | 90N20D | 90N20D IR SIUP-220 | 90N20D.pdf |