창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTQ045N03TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RTQ045N03 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RTQ045N03TR | |
| 관련 링크 | RTQ045, RTQ045N03TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MAL210119223E3 | 22000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 11 mOhm 15000 Hrs @ 85°C | MAL210119223E3.pdf | |
![]() | PN2907ATA | TRANS PNP 60V 0.8A TO-92 | PN2907ATA.pdf | |
![]() | S4924R-825K | 8.2mH Shielded Inductor 57mA 119 Ohm Max Nonstandard | S4924R-825K.pdf | |
![]() | CAT28F010N-12T | CAT28F010N-12T CSI PLCC | CAT28F010N-12T.pdf | |
![]() | HD44272CPVETL | HD44272CPVETL HIT PLCC | HD44272CPVETL.pdf | |
![]() | EPF6016QC2082 | EPF6016QC2082 ALTERA N A | EPF6016QC2082.pdf | |
![]() | ZMY82 82V | ZMY82 82V ITT LL41 | ZMY82 82V.pdf | |
![]() | DSEP+8-12A | DSEP+8-12A IXYS TO | DSEP+8-12A.pdf | |
![]() | PIC32MX695F512L-80I/PF | PIC32MX695F512L-80I/PF MICROCHIP TQFP100P | PIC32MX695F512L-80I/PF.pdf | |
![]() | GRM2165C1H221JA01B | GRM2165C1H221JA01B MURATA SMD | GRM2165C1H221JA01B.pdf | |
![]() | LQW18AN27NJ10B | LQW18AN27NJ10B TDKMURATATAIYO SMD or Through Hole | LQW18AN27NJ10B.pdf |