창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RTQ025P02TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RTQ025P02 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 580pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RTQ025P02TR | |
관련 링크 | RTQ025, RTQ025P02TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D151MXCAR | 150pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D151MXCAR.pdf | |
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![]() | 10102F* | 10102F* S/PHI CDIP16 | 10102F*.pdf | |
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![]() | R60PF2100AA30J | R60PF2100AA30J Kemet SMD or Through Hole | R60PF2100AA30J.pdf | |
![]() | 4416P-T02-202 | 4416P-T02-202 Bourns DIP | 4416P-T02-202.pdf | |
![]() | DW863240W-LA4 | DW863240W-LA4 HUG SMD or Through Hole | DW863240W-LA4.pdf | |
![]() | BYT16P | BYT16P ST TO 220 AB NON ISOL | BYT16P.pdf | |
![]() | CDT3459-01A | CDT3459-01A ORIGINAL SMD or Through Hole | CDT3459-01A.pdf | |
![]() | SN54LS623J/B | SN54LS623J/B TAIWAN CDIP | SN54LS623J/B.pdf |