창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RTF015P02TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RTF015P02 ~ | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.2nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RTF015P02TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RTF015P02TL | |
| 관련 링크 | RTF015, RTF015P02TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 251R15S2R7CV4E | 2.7pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S2R7CV4E.pdf | |
![]() | Y162422R1000C0R | RES SMD 22.1 OHM 0.25% 1/5W 0805 | Y162422R1000C0R.pdf | |
![]() | 4114R-1-220 | RES ARRAY 7 RES 22 OHM 14DIP | 4114R-1-220.pdf | |
![]() | CPCP0540R00FB32 | RES 40 OHM 5W 1% RADIAL | CPCP0540R00FB32.pdf | |
![]() | HYB25D128323C-3.3A | HYB25D128323C-3.3A SIEMENS BGA | HYB25D128323C-3.3A.pdf | |
![]() | STTH1004FP | STTH1004FP ST TO-220F | STTH1004FP.pdf | |
![]() | W83321S | W83321S WINBOND SOP8 | W83321S.pdf | |
![]() | 0402HP-2N2XJLW | 0402HP-2N2XJLW COILCRAFT SMD | 0402HP-2N2XJLW.pdf | |
![]() | 609-3657 | 609-3657 GCELECTRONICS SOP-8 | 609-3657.pdf | |
![]() | XC61CC3102M | XC61CC3102M SOT3 SMD or Through Hole | XC61CC3102M.pdf | |
![]() | CHB50-24S33 | CHB50-24S33 Cincon SMD or Through Hole | CHB50-24S33.pdf | |
![]() | DZ11BSA | DZ11BSA ORIGINAL DO34 | DZ11BSA.pdf |