창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RTF015N03TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RTF015N03 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RTF015N03TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RTF015N03TL | |
관련 링크 | RTF015, RTF015N03TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA6M2X7R1E475M200AD | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M2X7R1E475M200AD.pdf | |
![]() | DF202S-G | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF | DF202S-G.pdf | |
![]() | VLS252008ET-1R5N-CA | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 910mA 248 mOhm Max Nonstandard | VLS252008ET-1R5N-CA.pdf | |
![]() | MBRX0560 | MBRX0560 BL SOD-123 | MBRX0560.pdf | |
![]() | 1N4448HWS-7-G | 1N4448HWS-7-G Diodes SMD or Through Hole | 1N4448HWS-7-G.pdf | |
![]() | AD548BH | AD548BH AD CAN8 | AD548BH.pdf | |
![]() | ZK30A1200V | ZK30A1200V SanRexPak SMD or Through Hole | ZK30A1200V.pdf | |
![]() | UTC074 | UTC074 UTC/YW SOPDIP14 | UTC074.pdf | |
![]() | ST7219C2M1/CKB | ST7219C2M1/CKB ORIGINAL SMD | ST7219C2M1/CKB.pdf | |
![]() | FI2012-220K | FI2012-220K MAGLAYERS SMD or Through Hole | FI2012-220K.pdf | |
![]() | SC427162FN | SC427162FN ORIGINAL SOP | SC427162FN.pdf | |
![]() | YRTA-HEWNC-1U | YRTA-HEWNC-1U RENESASELECTRONICS SMD or Through Hole | YRTA-HEWNC-1U.pdf |