창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RT1C060UNTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RT1C060UN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 650mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSST | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RT1C060UNTRTR RT1C060UNTRTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RT1C060UNTR | |
| 관련 링크 | RT1C06, RT1C060UNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 860160375032 | 1000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | 860160375032.pdf | |
![]() | D680G33U2JL6UJ5R | 68pF 500V 세라믹 커패시터 U2J 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | D680G33U2JL6UJ5R.pdf | |
![]() | 08053C334KAT2A | 0.33µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053C334KAT2A.pdf | |
![]() | UPB1013BGR-E1 | UPB1013BGR-E1 NEC SOP16 | UPB1013BGR-E1.pdf | |
![]() | LM3000ASQ/NOPB | LM3000ASQ/NOPB NSC LLP-32 | LM3000ASQ/NOPB.pdf | |
![]() | P22NF03L | P22NF03L ST SMD or Through Hole | P22NF03L.pdf | |
![]() | LA7218M | LA7218M SANYO 3.9mm | LA7218M.pdf | |
![]() | MB622276UM-G | MB622276UM-G FUJITSU DIP | MB622276UM-G.pdf | |
![]() | BTX95/500R | BTX95/500R ST SMD or Through Hole | BTX95/500R.pdf | |
![]() | SAB82526NHSCX-1V2.2 | SAB82526NHSCX-1V2.2 INFINEON PLCC44 | SAB82526NHSCX-1V2.2.pdf | |
![]() | BZ5245S | BZ5245S sirectsemi SOT-23 | BZ5245S.pdf |