창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSR010N10TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSR010N10 | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-96 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RSR010N10TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSR010N10TL | |
| 관련 링크 | RSR010, RSR010N10TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 06123C224KAT2A | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | 06123C224KAT2A.pdf | |
![]() | K683K15X7RF5TH5 | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K683K15X7RF5TH5.pdf | |
![]() | VJ0805D621JLAAJ | 620pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D621JLAAJ.pdf | |
![]() | RG1005N-152-D-T10 | RES SMD 1.5K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-152-D-T10.pdf | |
![]() | CMF5528K700BHEA | RES 28.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5528K700BHEA.pdf | |
![]() | K6R4004C1C-KI12 | K6R4004C1C-KI12 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R4004C1C-KI12.pdf | |
![]() | IB1224D-1W | IB1224D-1W YUAN DIP | IB1224D-1W.pdf | |
![]() | XC9226A196MR | XC9226A196MR TOREX SOT25 | XC9226A196MR.pdf | |
![]() | EMIF02-1003M6 | EMIF02-1003M6 ST SMD or Through Hole | EMIF02-1003M6.pdf | |
![]() | CDCU877AZQLTG4 | CDCU877AZQLTG4 TI CDCU877AZQLTG4 | CDCU877AZQLTG4.pdf | |
![]() | 79684-2 AMI | 79684-2 AMI ORIGINAL PLCC | 79684-2 AMI.pdf |