창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSQ045N03TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSQ045N03 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 600mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSQ045N03TR | |
| 관련 링크 | RSQ045, RSQ045N03TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5386B/TR8 | DIODE ZENER 180V 5W T18 | 1N5386B/TR8.pdf | |
![]() | MXL021E1-3 SDH9900- | MXL021E1-3 SDH9900- FUJITSU LQFP-248 | MXL021E1-3 SDH9900-.pdf | |
![]() | CM50TF(TU)-24H(E) | CM50TF(TU)-24H(E) ORIGINAL IGBT | CM50TF(TU)-24H(E).pdf | |
![]() | 747842-5 | 747842-5 TYCO con | 747842-5.pdf | |
![]() | H5CN-XDN | H5CN-XDN OMRON/ null | H5CN-XDN.pdf | |
![]() | L6562D L6562N | L6562D L6562N ST SOP-8 | L6562D L6562N.pdf | |
![]() | FSC-74LCX573MTCX | FSC-74LCX573MTCX FSC SMD or Through Hole | FSC-74LCX573MTCX.pdf | |
![]() | H4M15RA29CM42 | H4M15RA29CM42 HMG SMD or Through Hole | H4M15RA29CM42.pdf | |
![]() | TXB0104P | TXB0104P ORIGINAL SMD or Through Hole | TXB0104P.pdf | |
![]() | FPF2103_NL | FPF2103_NL Fairchild SOT23-5 | FPF2103_NL.pdf | |
![]() | S1VB60/7000 | S1VB60/7000 ORIGINAL 1V | S1VB60/7000.pdf | |
![]() | FS3207Z | FS3207Z IR TO-263 | FS3207Z.pdf |