창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RSD220N06TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RSD220N06 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RSD220N06TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RSD220N06TL | |
| 관련 링크 | RSD220, RSD220N06TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | G6A-274P-ST10-US DC48 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | G6A-274P-ST10-US DC48.pdf | |
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![]() | PTN1206E6572BST1 | RES SMD 65.7K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E6572BST1.pdf | |
![]() | SDCL1005C7N5JTF | SDCL1005C7N5JTF ORIGINAL 040210K | SDCL1005C7N5JTF.pdf | |
![]() | SM360A | SM360A SECOS SMA | SM360A.pdf | |
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![]() | ICS423G-05LF | ICS423G-05LF IDT TSSOP-16 | ICS423G-05LF.pdf | |
![]() | UPC3235GV-E1 | UPC3235GV-E1 RENESAS TSSOP-8 | UPC3235GV-E1.pdf | |
![]() | PDZ12V | PDZ12V PHI SOD-323 | PDZ12V.pdf | |
![]() | N8X02AN | N8X02AN SIG SMD or Through Hole | N8X02AN.pdf |