창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RSD080P05TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RSD080P05 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 45V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 91m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 15W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | CPT3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RSD080P05TL | |
관련 링크 | RSD080, RSD080P05TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CM309E18000000ABJT | 18MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E18000000ABJT.pdf | |
![]() | ALM-32220-TR1G | RF Amplifier IC GSM, PCS, W-CDMA, WiMAX 1.7GHz ~ 2.7GHz 20-MCOB (7x10) | ALM-32220-TR1G.pdf | |
![]() | V8511W | V8511W ASSMANN Call | V8511W.pdf | |
![]() | 2SK1015-01 | 2SK1015-01 FUJI TO-3P | 2SK1015-01.pdf | |
![]() | L160DB12VC | L160DB12VC ORIGINAL BGA | L160DB12VC.pdf | |
![]() | ADR530ARTZ-RELL7 TEL:82766440 | ADR530ARTZ-RELL7 TEL:82766440 AD SOT23 | ADR530ARTZ-RELL7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | AD3280S | AD3280S AD TSSOP-8 | AD3280S.pdf | |
![]() | HCP2786J-000E | HCP2786J-000E ORIGINAL SMD or Through Hole | HCP2786J-000E.pdf | |
![]() | CY7C470 | CY7C470 CYPRESS PLCC32 | CY7C470.pdf | |
![]() | T3444A-2B | T3444A-2B H DIP40 | T3444A-2B.pdf |