홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RS1G120MNTB

Rohm Semiconductor RS1G120MNTB

RS1G120MNTB
제조업체 부품 번호
RS1G120MNTB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
RS1G120MNTB 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 151.22765
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RS1G120MNTB 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RS1G120MNTB 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RS1G120MNTB가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RS1G120MNTB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RS1G120MNTB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RS1G120MNTB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RS1G120MN
제품 교육 모듈MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16.2m옴 @ 12A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds570pF @ 20V
전력 - 최대3W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-HSOP
표준 포장 2,500
다른 이름RS1G120MNTBTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RS1G120MNTB
관련 링크RS1G12, RS1G120MNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RS1G120MNTB 의 관련 제품
150pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) 1808GA151MAT3A.pdf
ST1209130ML ABC SMD or Through Hole ST1209130ML.pdf
IDT92HD71B7X5NL ORIGINAL QFN IDT92HD71B7X5NL.pdf
PT10MV10-104A2020 PIHER SMD or Through Hole PT10MV10-104A2020.pdf
178327-5 TE SMD or Through Hole 178327-5.pdf
VI-PU00-CWV VICOR SMD or Through Hole VI-PU00-CWV.pdf
T93Z1K10％TU50 VISHAY ORIGINAL T93Z1K10％TU50.pdf
EM83805 ORIGINAL DIP EM83805.pdf
VM06371-C 835-5503-011 VLSI PGA VM06371-C 835-5503-011.pdf
EMD12N60F EMC TO-220F EMD12N60F.pdf
DHS-6 MKK SMD-12 DHS-6.pdf
106PHC700KS ILLINOIS DIP 106PHC700KS.pdf