창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RS1E350BNTB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RS1E350BN | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RS1E350BNTBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RS1E350BNTB | |
관련 링크 | RS1E35, RS1E350BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
RT2415B7TR13 | RES NTWRK 8 RES 4.7K OHM 12LBGA | RT2415B7TR13.pdf | ||
5050SUWC | 5050SUWC HUNIN PB-FREE | 5050SUWC.pdf | ||
4894ES | 4894ES MICROCHIP SOP-8 | 4894ES.pdf | ||
LM6361N. | LM6361N. NS DIP8 | LM6361N..pdf | ||
LP2967IMMX-2626 | LP2967IMMX-2626 NSC MSOP-8 | LP2967IMMX-2626.pdf | ||
TMP86FS49UG | TMP86FS49UG TOSHIBA QFP | TMP86FS49UG.pdf | ||
MA3216-601-LF | MA3216-601-LF ORIGINAL NA | MA3216-601-LF.pdf | ||
T520U476M010AS | T520U476M010AS KEMET SMD | T520U476M010AS.pdf | ||
MC74LS166DR2 | MC74LS166DR2 MOTOROLA 3.9mm16 | MC74LS166DR2.pdf | ||
XC4036XLA-08HQ240I | XC4036XLA-08HQ240I XILINX SMD or Through Hole | XC4036XLA-08HQ240I.pdf | ||
QSMW-C368 | QSMW-C368 AVAGO ROHS | QSMW-C368.pdf |