창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RS1E240BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RS1E240BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RS1E240BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RS1E240BNTB | |
| 관련 링크 | RS1E24, RS1E240BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AQ12EM2R7CAJME | 2.7pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM2R7CAJME.pdf | |
![]() | 1960MHZ/F6CE-1G9600-L2XBPU | 1960MHZ/F6CE-1G9600-L2XBPU FUJITSU 3x3mm | 1960MHZ/F6CE-1G9600-L2XBPU.pdf | |
![]() | ST0-41T-187N | ST0-41T-187N JST SMD or Through Hole | ST0-41T-187N.pdf | |
![]() | MAX221CAI | MAX221CAI MAX SSOP | MAX221CAI.pdf | |
![]() | SG8002JA PC C | SG8002JA PC C SEIKO SMD or Through Hole | SG8002JA PC C.pdf | |
![]() | SIOV-S20K625 | SIOV-S20K625 EPCOS DIP | SIOV-S20K625.pdf | |
![]() | 88W8682U-NAP2 | 88W8682U-NAP2 MARVELL QFN | 88W8682U-NAP2.pdf | |
![]() | DBS-4060N412 | DBS-4060N412 DBS SMA | DBS-4060N412.pdf | |
![]() | 128159-HMC822LP6CE | 128159-HMC822LP6CE HITTITE SMD or Through Hole | 128159-HMC822LP6CE.pdf | |
![]() | CDR6D28MN-2R7 | CDR6D28MN-2R7 SUMIDA SMD | CDR6D28MN-2R7.pdf |